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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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